مخفف الألياف البصرية المتغير MEMS وضع أحادي 1310 نانومتر 1550 نانومتر

جميع المنتجات

الألياف الضوئية التصحيح الحبل (286)

MPO MTP تصحيح الحبل (86)

الجمعية كابل الألياف (170)

الألياف البصرية الخائن (120)

الطول الموجي تقسيم معدد (127)

الألياف البصرية مرسل مستقبل (102)

الألياف البصرية تصحيح الفريق (173)

صندوق إنهاء الألياف البصرية (215)

قبل إنهاء كابلات الألياف المتعددة (56)

ليف ضفيرة optic (76)

الألياف البصرية الموصلات (80)

الألياف البصرية محول (95)

الألياف البصرية موهن (44)

معظم الألياف البصرية كابل (103)

إغلاق وصلة الألياف البصرية (95)

الألياف البصرية مجلس الوزراء (26)

تبديل الألياف الضوئية (31)

جهاز توزيع الألياف الضوئية (14)

عازل الألياف الضوئية (27)

الصين Shenzhen Unifiber Technology Co.,Ltd الشهادات

ابن دردش الآن

مخفف الألياف البصرية المتغير MEMS وضع أحادي 1310 نانومتر 1550 نانومتر

Name: مخفف الألياف البصرية المتغير MEMS وضع أحادي 1310 نانومتر 1550 نانومتر
Brand: Unifiber or OEM
SKU: Mems VOA
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (168 reviews)

MEMS Variable Fiber Optic Attenuator Single Mode 1310nm 1550nm

صورة كبيرة : مخفف الألياف البصرية المتغير MEMS وضع أحادي 1310 نانومتر 1550 نانومتر

تفاصيل المنتج:

مكان المنشأ:	الصين
اسم العلامة التجارية:	Unifiber or OEM
إصدار الشهادات:	ROHS
رقم الموديل:	Mems VOA

شروط الدفع والشحن:

الحد الأدنى لكمية:	10
الأسعار:	Negotiable
تفاصيل التغليف:	حالة نفطة
وقت التسليم:	3 ~ 5
شروط الدفع:	L / C ، T / T
القدرة على العرض:	1000

اتصل

مفصلة وصف المنتج

منتج:	المخفف البصري المتغير MEMS	الطول الموجي:	1310 نانومتر أو 1550 نانومتر
نوع التوهين:	مشرق أو غامق	معالجة الطاقة:	500 ميجا واط
نطاق التوهين:	≥30 ديسيبل	موصل:	LC / اتحاد الوطنيين الكونغوليين
تسليط الضوء:	مخفف الألياف البصرية المتغير MEMS , موهن الألياف البصرية 1310 نانومتر , المخفف البصري المتغير MEMS

مخفف الألياف البصرية المتغير MEMS وضع أحادي 1310 نانومتر 1550 نانومتر

وصف المخفف البصري المتغير 1310 نانومتر 1550 نانومتر أحادي الوضع

MEMS VOA (المخفف البصري المتغير للأنظمة الكهروميكانيكية الدقيقة) هو مكون بصري دقيق مصمم للجيل القادم من الشبكات البصرية القابلة للتكوين ديناميكيًا.وهو يعتمد على الدائرة الضوئية المتكاملة (PIC) وتكنولوجيا النظم الكهروميكانيكية الصغرى الكهروستاتيكية.تتيح تقنية المرايا العاكسة MEMS إنشاء منتجات ذات مستويات توهين عالية ويمكن تهيئتها كأجهزة ساطعة أو مظلمة.عند دمجها مع إمكانات التغليف والتصنيع المتقدمة ، ينتج عن ذلك فئة جديدة من مكونات الأنظمة الكهروميكانيكية الصغرى (MEMS) المصممة لتتجاوز مواصفات الأداء والاكتناز وقابلية التصنيع والموثوقية.يمكن تخصيص الطول الموجي التشغيلي ونوع التوهين وجهد المحرك ونوع الألياف وطول الألياف والموصلات.

سمات

انخفاض فقدان الإدراج وانخفاض PDL
استهلاك منخفض للطاقة
المكتبة الرقمية العالمية منخفضة وتصميم مضغوط
غير حساس للصدمات والاهتزازات
الموثوقية العالية والاستقرار

طلب

التحكم في الطاقة والتعادل في نظام متعدد القنوات
التحكم في الكسب في EDFAS
حماية المتلقي
قناة على / قبالة التبديل

تخصيص

معامل	تخصيص	وحدة	ملحوظة
نطاق الطول الموجي	1064	نانومتر
	1310	نانومتر	يا باند
	1530 ~ 1570	نانومتر	الفرقة C.
	1570 ~ 1610	نانومتر	الفرقة L.
نوع التوهين	مشرق أو غامق	-
نطاق التوهين	≥30	ديسيبل	للوضع الفردي
إعاقة حالة التوهين)	≥40	ديسيبل	نوع غامق
فقدان الإدراج	≤0.7	ديسيبل	للوضع الفردي
قرار التوهين	مستمر	-
خسارة تعتمد على الطول الموجي	≤0.3	ديسيبل	@ <0 ديسيبل أت.
خسارة تعتمد على الطول الموجي	≤1.5 نموذجي 0.8	ديسيبل	@ <20 ديسيبل أت.
الخسارة المعتمدة على الاستقطاب	0.1	ديسيبل	@ <0 ديسيبل أت.
الخسارة المعتمدة على الاستقطاب	0.5	ديسيبل	@ <20 ديسيبل أت.
خسارة تعتمد على درجة الحرارة	≤0.7	ديسيبل	@ <0 ديسيبل أت.قارن مع RT
خسارة تعتمد على درجة الحرارة	≤1.0	ديسيبل	@ <20 ديسيبل أت.قارن مع RT
تعويض الخساره	≥45	ديسيبل	للوضع الفردي
وقت الاستجابة	≤2	آنسة	10-90٪ قوة بصرية
تسليم الطاقة الضوئية	500	ميغاواط
قيادة الجهد	6.5 أو 15	الخامس
استهلاك الطاقة	≤2	ميغاواط
درجة حرارة التشغيل	0 ~ 70	℃
درجة حرارة التخزين	-40 ~ 85	℃

صورة 1310nm 1550nm Mems VOA

مخفف الألياف البصرية المتغير MEMS وضع أحادي 1310 نانومتر 1550 نانومتر 0

بطاقة:

اتصل شخص: Kerry Sun

الهاتف :: +86-135-9019-2305

منتجات أخرى

LC APC واحد وضع الألياف البصرية المخفف 5dB المكونات في الإناث إلى الذكور مع توهين مستقر

نطاق التوهين: 1 ~ 30 ديسيبل

موصل الألياف: LC / SC / FC / ST

النوع البولندي: APC أو UPC